霍尔芯片工艺的分类介绍

       霍尔传感器是能够通过磁场的变化从而输出不同的种类的电信号。霍尔芯片主要有三种制造工艺，不同的工艺有不同的特性。接下来就和小编一起去了解一下吧！

Bipolar 工艺的霍尔芯片：
       Bipolar 工艺是最早出现的适用于量产的芯片工艺。作为一种传统的半导体工艺，Bipolar产品具有良好的电特性，包括其可以在宽泛的工作电压环境下工作，反向电压保护电路设计简单高效，同时兼顾 ESD 保护及抗电磁干扰能力。其缺点是磁特性表现一般，包括传感器本身的磁开启点与关闭点一致性及对称性不佳，且随温度变化，其磁参数变化较大，也就是常说的温漂较大。虽然可通过后续的测试筛选来提高产品的整体磁性能，但也提高了生产成本，从而增加客户端的使用成本。

CMOS 工艺的霍尔芯片：
       CMOS 工艺是随着时代的发展，在芯片本身集成度要求提高的前提下产生的另一种量产工艺。半导体制造工艺的发展使得现今 CMOS 工艺最小线宽不断下降，意味着在同样面积的晶片上可集成更多的电路，特别是数字处理电路。由此 CMOS 工艺的霍尔芯片可通过内置斩波放大处理电路、动态失调消除电路等方式有效控制磁参数的偏差范围，其最大的优点是具有精准的磁开关动作点，磁性灵敏度选择范围较广。对于温漂的控制，亦可通过内置温度补偿电路实现。与此同时，因其其线宽窄，导致芯片本身的耐压性能一般，由于兼顾 ESD 能力、启动电压等因素，大多的 CMOS 工艺霍尔传感器没有内置反向保护电路。CMOS 芯片的抗干扰能力也较差。

BiCMOS 工艺的霍尔芯片：
       上述两种工艺存在各自的优缺点，随着半导体技术的发展继而出现了将上述两种工艺组合运用的 BiCMOS 工艺。BiCMOS 工艺以 CMOS 工艺为基础，在输入电源调制和输出驱动大负载处加入 Bipolar 工艺，从而结合两者的优点，降低两种工艺对芯片最终磁、电特性的影响。其继承了 CMOS 工艺优良的磁特性，同时最大限度保留了 Bipolar 工艺耐高压、抗干扰能力强的优点。

       以上的工艺大家可以根据自己自己的所需而去选择最适合的工艺种类芯片。如果您还有更多想要了解的，欢迎前来咨询！